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《炬丰科技-半导体工艺》金属氧化物半导体的制造

文章作者:孤阳 时间:2025-05-28

书本:《炬歉科技-半导体工艺》

《炬丰科技-半导体工艺》金属氧化物半导体的制造

作品:金属氧化物半导体的制作

编号:JFKJ-21-207

作家:炬歉科技

概括

CMOS制作工艺概括

CMOS制作工艺淌程

设想划定规矩

互补金属氧化物半导体工艺

1.CMOS晶体管是正在硅片上制作的

2.仄版印刷的进程近似于印刷机

3.每步,没有共的质料被寄存或者蚀刻

4.经由过程检查顶部战顶部最简单了解作品一概概况:壹叁叁伍捌整陆肆叁叁叁简化制作中的晶圆截里的进程

顺变器截里

诉求pMOS晶体管的机身

顺变器遮模组

晶体管战电线是由遮模界说的

沿实线拍摄的横截里

细致操纵的看法略

添工装备略